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電磁式電壓互感器的工作原理和分類
電磁式電壓互感器通常用于電力系統(tǒng)中，用于測量高電壓輸電線路上的電壓。它們還可以用于監(jiān)測電力系統(tǒng)中的電壓波形和幅值，以便及時發(fā)現(xiàn)電力系統(tǒng)中的故障和問題。在本文中，我們將詳細介紹電磁式電壓互感器的工作原理和分類。
2023-11-06
TDK推出首款 SMD 沖擊電流限制器
TDK 株式會社開發(fā)的J404是首款基于 PTC(正溫度系數(shù))技術(shù)的表面貼裝浪涌電流限制器 (ICL)。該元件(訂貨號 B59404J0170A062)專為直流電壓高達 500 V 和 交流電壓高達350 V 的應(yīng)用場景而設(shè)計，可用于限制電動汽車中的直流母線和充電設(shè)備等應(yīng)用中的浪涌電流。
2023-11-04
安森美第三季度汽車業(yè)務(wù)收入達12億美元，同比增長33%
安森美公布其2023財年第三季度業(yè)績：第三季度收入為21.808億美元，公認會計原則（GAAP）和非GAAP毛利率為47.3%，GAAP營業(yè)利潤率和非GAAP營業(yè)利潤率分別為31.5%和32.6%，GAAP每股攤薄收益為1.29美元，非GAAP每股攤薄收益為1.39美元。其中，汽車業(yè)務(wù)收入創(chuàng)紀錄，同比增長33%至12億美元。
2023-11-03
三星電子Q3利潤下滑78% 存儲市場明年有望復(fù)蘇
近日，三星電子公布了2023年Q3財報，銷售額67.4047萬億韓元，同比減少12.21%；凈收入下降40%至5.5萬億韓元；營業(yè)利潤2.4336萬億韓元，同比減少了77.57%；當(dāng)期凈利潤為5.8441萬億韓元，減少37.76%。
2023-11-02
力積電與SBI擬在日本宮城建廠 預(yù)計2026年投產(chǎn)
中國臺灣半導(dǎo)體代工巨頭“力晶積成電子制造”（PSMC）正在與日本SBI控股(SBI Holdings)磋商，計劃在宮城縣建設(shè)半導(dǎo)體工廠。一期工廠將投資約4000億日元，目標是2026年投產(chǎn)。
2023-11-01
SK海力士反對，西數(shù)和鎧俠合并計劃出現(xiàn)新變數(shù)
NAND 閃存芯片制造商鎧俠（Kioxia）與西部數(shù)據(jù)（WD）的合并計劃目前迎來新變數(shù)，SK海力士周四表示其不同意日本鎧俠公司和美國西部數(shù)據(jù)公司間的合并，日美存儲芯片企業(yè)間交易面臨更多不確定性。
2023-10-31
SK海力士HBM3E芯片供不應(yīng)求 明年產(chǎn)能已被預(yù)訂一空
HBM是一種新型內(nèi)存，通過垂直堆疊DRM芯片以縮短內(nèi)存和處理器間通信的距離。簡單來說，HBM 能提供高帶寬，讓CPU 與GPU、內(nèi)存與存儲之間的通信采用更高效率數(shù)據(jù)傳輸方式。
2023-10-30
三星正在與客戶就2nm、1.4nm工藝合作進行洽談
盡管三星電子在3納米代工業(yè)務(wù)上比臺積電更早量產(chǎn)，但由于接連失去了高通、NVIDIA等大客戶，已經(jīng)落后于臺積電。
2023-10-27
安森美韓國工廠擴建完工 預(yù)計2025年產(chǎn)量達100萬片
碳化硅器件是電動汽車(EV)、能源基礎(chǔ)設(shè)施和大功率EV充電樁中進行功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件。市場對這些產(chǎn)品的需求迅速增長，使得對SiC芯片的需求激增。
2023-10-26
東部高科加大SiC、GaN研發(fā)
為了支持未來業(yè)務(wù)增長，韓國晶圓代工廠東部高科正在加大在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)力度。最近的投資旨在提高其8英寸晶圓的制造能力。
2023-10-25
IBM推出"北極“芯片 速度和能效均比同類產(chǎn)品提高20多倍
美國IBM公司最新推出了一款類腦芯片“北極”，其運行由人工智能驅(qū)動的圖像識別算法的速度是同類商業(yè)芯片的22倍，能效是同類芯片的25倍。相關(guān)研究論文發(fā)表于10月19日出版的《科學(xué)》雜志。
2023-10-24
格芯獲3500萬美元資金補貼 加速硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)
近日，格芯宣布，已從美國國防部獲得3500萬美元資金，用于支持其位于佛蒙特州工廠的硅基氮化鎵（GaN on Si）平臺，預(yù)計這筆資金將加速該公司200mm硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。
2023-10-23
西數(shù)與鎧俠洽談合并 打造全球最大NAND制造商
西部數(shù)據(jù)目前就NAND閃存生產(chǎn)業(yè)務(wù)合并進行談判，他們將打造全球最大的NAND閃存制造商。該計劃涉及剝離西部數(shù)據(jù)的閃存業(yè)務(wù)部門，即將敲定，但細節(jié)仍在審議中。如果一切按預(yù)期進行，合并將獲得日本主要銀行的大量財務(wù)支持。
2023-10-17
海關(guān)總署公布：8、9月集成電路進出口連續(xù)環(huán)比增長
近日，海關(guān)總署新聞發(fā)言人呂大良表示，產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢鞏固，船舶、工程機械、家電等優(yōu)勢出口產(chǎn)業(yè)，市場占有率、國際競爭力和品牌影響力等進一步提升。同時，消費電子產(chǎn)業(yè)進出口呈現(xiàn)了復(fù)蘇的勢頭，集成電路進出口在8、9月連續(xù)環(huán)比回升，9月手機、電腦出口同比降幅明顯收窄。
2023-10-16
三星計劃于2025年推出新一代內(nèi)存HBM4
三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。
2023-10-13
熱繼電器和熱過載繼電器區(qū)別
熱繼電器和熱過載繼電器都是常見的電氣保護設(shè)備，但它們的工作原理和保護對象有所不同。在本篇文章中，我們將詳細介紹熱繼電器和熱過載繼電器的區(qū)別。
2023-10-11
ASML進駐北海道 為Rapidus提供技術(shù)支持
據(jù)媒體報道，荷蘭半導(dǎo)體制造設(shè)備巨頭ASML 9月26日表示，正探討2024年中期在日本北海道千歲市設(shè)立基地，支援日本芯片公司Rapidus半導(dǎo)體工廠的生產(chǎn)工作。ASML計劃安排為Rapidus提供客戶支持的技術(shù)人員。
2023-10-10
Nexperia雙通道500 mA RET可實現(xiàn)高功率負載開關(guān)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域廠商Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布新推出全新的500 mA 雙通道內(nèi)置電阻晶體管（RET）系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型 DFN 2020（D）-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機中的負載開關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有效融合的戰(zhàn)略充分凸顯了Nexperia力求滿足當(dāng)代電子設(shè)備緊湊空間要求的不懈努力。
2023-10-09
消息稱臺積電獲得高通5G芯片訂單 采用3nm制程
據(jù)市場傳聞，手機芯片巨頭高通將在蘋果和聯(lián)發(fā)科之后成為第三家采用臺積電3nm制程生產(chǎn)其下一代5G旗艦芯片的客戶。預(yù)計該消息將在10月下旬公布。
2023-10-07
鉭電容器的種類和封裝
鉭電容器是一種電子元器件，使用鉭金屬作為電極材料。它們通常分為有極性和無極性兩種類型，并且有多種不同的封裝形式。在本文中，我們將詳細討論鉭電容器的種類和封裝。
2023-10-06
