為了支持未來業(yè)務(wù)增長，韓國晶圓代工廠東部高科正在加大在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)力度。最近的投資旨在提高其8英寸晶圓的制造能力。
由于市場復(fù)蘇緩慢，該代工廠的8英寸晶圓廠運(yùn)營預(yù)計(jì)將受到影響，而轉(zhuǎn)向12英寸晶圓廠運(yùn)營的問題仍然存在。在這種情況下，東部高科未來的發(fā)展將集中在GaN和SiC等新型功率半導(dǎo)體上。
與硅 (Si) 半導(dǎo)體相比，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 基功率半導(dǎo)體具有更快的功率轉(zhuǎn)換效率和卓越的耐用性。
東部高科成立于 1997 年，也稱為DB HiTek。為全球無晶圓廠客戶設(shè)計(jì)的微控制器單元（MCU）、顯示驅(qū)動芯片（DDI）和圖像傳感器（CIS）等半導(dǎo)體。特別是主要生產(chǎn)Si DDI、MCU、CIS。
今年5月份左右，該公司成功分拆芯片設(shè)計(jì)部門，成為純晶圓代工廠。DB全球芯片計(jì)劃將無廠業(yè)務(wù)從液晶顯示器（LCD）DDI擴(kuò)展到有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）和Mini LED DDI，總部位于京畿道城南板橋。DB HITECH將成為純半導(dǎo)體委托生產(chǎn)（代工）企業(yè)。
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