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熱繼電器和熔斷器的區(qū)別
熱繼電器和熔斷器都是常見的電器元件，它們在電路中都起到了保護(hù)作用。雖然它們都可以在電路中斷開電路，但它們之間存在一些區(qū)別。在本篇文章中，我們將詳細(xì)介紹熱繼電器和熔斷器的區(qū)別。
2023-10-05
日本8月芯片制造設(shè)備銷售額創(chuàng)下四年來最大降幅
最新數(shù)據(jù)顯示，2023年8月，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）發(fā)布的3個(gè)月移動(dòng)平均值顯示，日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為2,865.04億日元，同比下跌17.5%，已經(jīng)連續(xù)第3個(gè)月出現(xiàn)萎縮。此外，該月銷售額連續(xù)第3個(gè)月跌破3,000億日元大關(guān)，跌幅創(chuàng)下自2019年7月以來（同比下跌18.8%）的最大值。
2023-10-04
美國將延長三星和SK海力士對華出售芯片豁免權(quán)
據(jù)報(bào)道，美國預(yù)計(jì)將無限期延長韓國芯片制造商三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）在華工廠進(jìn)口美國芯片設(shè)備的豁免權(quán)。多名消息人士表示，美國最早將于本周發(fā)布相關(guān)公告。
2023-10-03
FT2232開發(fā)板
采用FT2232芯片設(shè)計(jì)的開發(fā)板，將IO口完全引出，可在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)接口擴(kuò)展板
2023-09-20
瑞薩電子聯(lián)合美蓓亞三美研發(fā)角度傳感器步進(jìn)電機(jī)控制方案
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社與全球領(lǐng)先的步進(jìn)電機(jī)供應(yīng)商美蓓亞三美株式會(huì)社宣布，聯(lián)合開發(fā)基于旋轉(zhuǎn)變壓器（角度傳感器）的步進(jìn)電機(jī)和電機(jī)控制解決方案，并面向機(jī)器人、辦公自動(dòng)化（OA）設(shè)備，以及醫(yī)療/護(hù)理設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。瑞薩電子與美蓓亞三美攜手開發(fā)的基于旋轉(zhuǎn)變壓器傳感器的步進(jìn)電機(jī)和電機(jī)控制解決方案，可滿足電動(dòng)機(jī)更高精度控制、小型化以及應(yīng)對環(huán)境影響更強(qiáng)抵抗力的需求。
2023-09-13
消息稱臺積電攜手博通、英偉達(dá)等共同開發(fā)硅光子技術(shù)
消息稱臺積電攜手博通、英偉達(dá)等大客戶共同開發(fā)硅光子技術(shù)、共同封裝光學(xué)元件等新產(chǎn)品，制程技術(shù)從45nm延伸到7nm，最快明年下半年開始迎來大單，2025年有望邁入放量產(chǎn)出階段。
2023-09-12
英特爾官宣與高塔半導(dǎo)體達(dá)成一項(xiàng)新代工協(xié)議
近日，英特爾代工服務(wù)（Intel Foundry Services，簡稱IFS）宣布與以色列半導(dǎo)體代工廠高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成一項(xiàng)新的代工協(xié)議。
2023-09-11
AI高性能計(jì)算---存算一體
存算一體或存內(nèi)計(jì)算是將存儲(chǔ)與計(jì)算完全融合，直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理或計(jì)算。在傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)下，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和計(jì)算是分開的，由于存儲(chǔ)和計(jì)算的性能存在加大的差距，處理器訪問存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于處理器計(jì)算速率，數(shù)據(jù)在內(nèi)存與主存之間搬運(yùn)的過程其能耗也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于處理器的計(jì)算所消耗的能量。
2023-08-22
AI高性能計(jì)算---寒武紀(jì)NPU
寒武紀(jì)是國內(nèi)最早一批研究AI芯片公司，其AI芯片NPU (Neural network Processing Unit)的設(shè)計(jì)源于其早期一系列的AI芯片架構(gòu)研究，主要包括DianNao、DaDianNao、PuDianNao、ShiDianNao、Cambricon-X等一系列研究成果。
2023-08-22
AI高性能計(jì)算---Google TPU
自Google在2016年推出第一代自研人工智能芯片Tensor Processing Unit, TPU，經(jīng)過數(shù)年發(fā)展已升級到了第4代 TPU v4 (截止到2022年底)。TPU架構(gòu)設(shè)計(jì)也是通過高效地并行運(yùn)算大量乘法和累加操作來實(shí)現(xiàn)深度學(xué)習(xí)卷積層，全連接層等網(wǎng)絡(luò)層的高效計(jì)算。
2023-08-22
AI高性能計(jì)算---AI芯片設(shè)計(jì)
AI芯片最簡單直接設(shè)計(jì)思路就是將神經(jīng)元直接映射到硬件芯片上，如圖所示，全硬件實(shí)現(xiàn)方案(Full-Hardware Implementation)將每個(gè)神經(jīng)元映射為一個(gè)邏輯計(jì)算單元，每個(gè)突觸映射為一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，這種架構(gòu)設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)高性能且低功耗的AI芯片，比如Intel ETANN芯片。在全硬件實(shí)現(xiàn)方案中上一層輸出數(shù)據(jù)和權(quán)重相乘，相乘的結(jié)果再相加，然后再經(jīng)過一個(gè)激活函數(shù)輸出到下一層計(jì)算。這種架構(gòu)設(shè)計(jì)將計(jì)算和存儲(chǔ)緊密的耦合在一起，使得芯片在進(jìn)行高速計(jì)算的同時(shí)由能避免大規(guī)模的數(shù)據(jù)訪存，在提高整體計(jì)算性能的同時(shí)也降低了功耗。
2023-08-22
AI高性能計(jì)算---AI計(jì)算特性
AI計(jì)算特性設(shè)計(jì)和部署一款專用芯片需要平衡各種指標(biāo)，不同的場景下關(guān)注的指標(biāo)不一樣，其芯片設(shè)計(jì)的思路也會(huì)存在差異，常見的芯片設(shè)計(jì)指標(biāo)包括：功耗：芯片電路在工作時(shí)所消耗的能量。峰值性能：芯片每秒計(jì)算操作數(shù)...
2023-08-22
AI高性能計(jì)算---AI專用芯片
當(dāng)前人工智能(AI)計(jì)算主要是指以深度學(xué)習(xí)為代表的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法為主，傳統(tǒng)的CPU、GPU都可以用來做AI算法的運(yùn)算，但其并不是針對深度學(xué)習(xí)特性設(shè)計(jì)和優(yōu)化的，所以在速度和性能上都無法完全適配AI算法特性，通常來說，AI芯片指的是針對人工智能算法特性做特殊設(shè)計(jì)的ASIC(專用芯片)。
2023-08-22
人工智能芯片爆發(fā)！三大主流AI芯片，龍頭全梳理
AI芯片是AI服務(wù)器算力的核心組成，隨著AI算力規(guī)模的快速增長將催生更大的AI芯片需求。根據(jù)行行查數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年中國人工智能芯片市場規(guī)模為850 億元，2023年中國人工智能芯片市場規(guī)模將達(dá)到1039 億元，2025 年中國人工智能芯片市場規(guī)模將達(dá)到1780億元。
2023-08-22
威世Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)整流器與TVS二合一解決方案
節(jié)省空間型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封裝，內(nèi)置3 A，600 V標(biāo)準(zhǔn)整流器和200 W TRANSZORB? TVS
2023-08-21
隔離電源使用升壓控制器MAX668為slic產(chǎn)生三個(gè)隔離電壓的電源
這個(gè)應(yīng)用筆記展示了一個(gè)為slic產(chǎn)生三個(gè)隔離電壓的電源。隔離電源使用升壓控制器MAX668，帶有反激變壓器，用于-24V和-72V輸出，并使用光耦合器隔離反饋信號。線性穩(wěn)壓器MAX8867提供3.3V輸出。
2023-08-16
車用芯片賽道火熱 臺積電、三星積極布局
隨著電動(dòng)汽車和自動(dòng)駕駛汽車需求的快速增長，市場對先進(jìn)高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求也在激增。這種需求的增長促使半導(dǎo)體行業(yè)從傳統(tǒng)成熟制程轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的制程，使得車用電子在先進(jìn)制程方面的競爭變得更加激烈。
2023-08-16
意法半導(dǎo)體宣布開始量產(chǎn)PowerGaN器件
意法半導(dǎo)體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。
2023-08-07
英飛凌再擴(kuò)產(chǎn) 將建造全球最大8英寸SiC晶圓廠
近日，功率半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布，計(jì)劃在未來五年內(nèi)投資高達(dá)50億歐元，用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。
2023-08-04
英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件
在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器和（混動(dòng)）電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用。
2023-08-02
