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英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件
2023-08-02

在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計,同時以低成本實現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技股份公司正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源(SMPS)、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器(SSR)、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC)、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和(混動)電動汽車車載充電器等應(yīng)用。

該產(chǎn)品組合進(jìn)行了重要擴充,新增了創(chuàng)新的 QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,能夠在較小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)豐富的功能。這些特性使得該器件在低頻開關(guān)應(yīng)用中極具優(yōu)勢,同時還可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封裝,這款器件的導(dǎo)通電阻值僅為 10 mΩ,在市場上同電壓等級產(chǎn)品中以及采用SMD 封裝的產(chǎn)品中屬于最低值。CoolMOS S7/S7A 解決方案通過最大程度地降低 MOSFET 產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗,提高了整體效率,并提供了一種簡單易用且經(jīng)濟高效的方式來提高系統(tǒng)性能。

未標(biāo)題-2

CoolMOS S7 電源開關(guān)還借助已改進(jìn)的熱阻來有效管理散熱,通過采用創(chuàng)新、高效的 QDPAK 封裝,減少甚至消除了固態(tài)設(shè)計中對散熱器的需求,從而使系統(tǒng)變得更加緊湊和輕便。該系列 MOSFET產(chǎn)品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式,均能夠抵御高脈沖電流,并應(yīng)對突然的浪涌電流。此外,該系列 MOSFET產(chǎn)品還具有體二極管的穩(wěn)健性,能夠確保在交流線路換向期間可靠運行。

由于所需的元器件較少,CoolMOS? S7系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET能夠減少零部件的數(shù)量,進(jìn)而實現(xiàn)靈活的系統(tǒng)集成,降低BOM(材料清單)成本和總體擁有成本(TCO)。同時,該系列MOSFET 產(chǎn)品還能縮短反應(yīng)時間,尤其在斷開電流時,能夠更加平穩(wěn)、高效地運行。

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