HBM是一種新型內(nèi)存，通過垂直堆疊DRM芯片以縮短內(nèi)存和處理器間通信的距離。簡單來說，HBM 能提供高帶寬，讓CPU 與GPU、內(nèi)存與存儲之間的通信采用更高效率數(shù)據(jù)傳輸方式。
在第三季度財報電話會議上，SK海力士的一位領(lǐng)導(dǎo)者表示：“我們已經(jīng)在2023年出售了明年HBM3和HBM3E的所有產(chǎn)量?！贝送猓溥€表示正在與客戶就2025年的產(chǎn)能進行談判。
HBM類似數(shù)據(jù)的"中轉(zhuǎn)站"，就是將每一幀、每一幅圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)域中，等候GPU調(diào)用。相比傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)，HBM帶寬更高、功率更低、功耗更低、尺寸更小，能夠使AI服務(wù)器的傳輸速率和數(shù)據(jù)處理量大幅提升，因此HBM也成了AI服務(wù)器的標配。
HBM3E作為HBM3的升級版本，預(yù)計將為英偉達明年即將量產(chǎn)的GH200提供強大支持。此外SK海力士還預(yù)計，即使HBM3E的需求強勁，也不會對現(xiàn)有HBM3產(chǎn)品的平均售價造成影響。
主要是因為對DRAM的需求預(yù)計將從2024年開始恢復(fù)，而對HBM3的需求仍然強勁。因此SK海力士計劃在2024年增加投資以應(yīng)對不斷擴大的需求，還計劃以HBM為中心不斷提升其產(chǎn)能。
值得一提的是，HBM全球只有三家量產(chǎn)，分別是SK海力士、三星、美光。目前SK海力士存儲芯片技術(shù)領(lǐng)先三星與海力士，二者所占市場份額約60%-70%，因為下游需求出現(xiàn)爆發(fā)而供應(yīng)跟不上。
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