近日，格芯宣布，已從美國國防部獲得3500萬美元資金，用于支持其位于佛蒙特州工廠的硅基氮化鎵（GaN on Si）平臺，預計這筆資金將加速該公司200mm硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。
格芯佛蒙特州半導體制造工廠表示，繼續(xù)朝著大規(guī)模生產(chǎn)用于航空航天和國防、蜂窩通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和汽車的下一代氮化鎵芯片邁進。
格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關(guān)和控制應用的理想技術(shù)，對于6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要?！?/p>
格芯計劃購買更多設備來提升開發(fā)和原型設計能力，向大規(guī)模200mm硅基氮化鎵半導體制造邁進。作為投資的一部分，格芯計劃實施新的能力，以減少格芯及其客戶面臨鎵供應鏈限制的風險，同時提高美國制造氮化鎵芯片的開發(fā)速度、供應保證和競爭力。
相關(guān)信息顯示，格芯佛蒙特州工廠擁有1800名員工，該工廠是DMEA（國防微電子）認證的可信代工廠，與美國國防部合作生產(chǎn)安全芯片，用于美國一些最敏感的航空航天和國防系統(tǒng)。
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