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晶圓代工巨頭先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入白熱化
晶圓代工巨頭的先進(jìn)制程投資源于芯片市場(chǎng)需求的爆發(fā)。隨著AI、高性能計(jì)算等新興技術(shù)的推動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程的重要性日益凸顯，吸引了臺(tái)積電、三星、英特爾等晶圓代工企業(yè)加速推出更先進(jìn)的制程技術(shù)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)。
2023-11-18
SK海力士HBM出貨量大幅增長(zhǎng) 預(yù)計(jì)2030年將達(dá)1億顆
SK海力士首席執(zhí)行官Jeong-ho Park 13日在致辭中透露，今年公司高帶寬內(nèi)存（HBM）出貨量為50萬(wàn)顆，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到每年1億顆。
2023-11-18
三星和SK海力士Q3半導(dǎo)體庫(kù)存仍處高位
三星、sk海力士的半導(dǎo)體庫(kù)存在2023年第三季度也保持較高水平。根據(jù)三星季報(bào)，截至2023年第三季，其整體存貨金額為55.2萬(wàn)億韓元，較2022年底的52.1萬(wàn)億韓元增加5.9%；其中半導(dǎo)體存貨金額從2022年底的29萬(wàn)億韓元，大幅躍升16.1%至33.7萬(wàn)億韓元，比2021年末增加了2倍以上。
2023-11-18
三星計(jì)劃2024年推3D AI芯片封裝“SAINT”
隨著半導(dǎo)體微縮制程接近物理極限，先進(jìn)封裝技術(shù)成為競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，臺(tái)積電率先推出3Dfabric平臺(tái)，三星計(jì)劃推出“SAINT”先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)以迎頭趕上。
2023-11-18
臺(tái)積電拿下微軟5nm AI芯片訂單
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電已收到主要云服務(wù)提供商（CSP）的人工智能（AI）芯片訂單，其中包括微軟的5nm芯片訂單。
2023-11-18
博世、英飛凌和恩智浦獲德國(guó)批準(zhǔn)投資臺(tái)積電芯片廠
近日，德國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)聲明表示，批準(zhǔn)博世 (BOSCH)、英飛凌 (Infineon) 和恩智浦 (NXP) 入股臺(tái)積電的德國(guó)德勒斯登12英寸芯片廠。
2023-11-11
瑞薩電子發(fā)布下一代MCU芯片和路線圖
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日公開(kāi)了針對(duì)汽車(chē)領(lǐng)域所有主要應(yīng)用的下一代片上系統(tǒng)(SoC)和微控制器(MCU)計(jì)劃。截至目前，瑞薩全 MCU 近年來(lái)的平均年出貨量超過(guò) 35 億顆，其中約 50% 用于汽車(chē)領(lǐng)域，其余則用于工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)以及數(shù)據(jù)中心和通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。
2023-11-10
消息稱(chēng)英特爾決定擱置越南投資計(jì)劃
目前，越南擁有英特爾最大的芯片組裝、封裝和測(cè)試工廠。今年2月，有爆料稱(chēng)英特爾計(jì)劃在越南新增價(jià)值10億美元的投資，以增強(qiáng)其在越南的芯片集群效應(yīng)。但是，最新消息稱(chēng)，英特爾已經(jīng)擱置了在越南的新投資計(jì)劃。
2023-11-09
三星電子擬投資7000億-1萬(wàn)億韓元擴(kuò)大HBM產(chǎn)能
三星電子為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購(gòu)三星顯示（Samsung Display）天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。三星電子計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，公司已花費(fèi)105億韓元購(gòu)買(mǎi)上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬(wàn)億韓元。
2023-11-08
TI宣布位于猶他州的第二座12英寸晶圓廠正式動(dòng)工
近日，德州儀器(TI)表示，其位于猶他州Lehi的第二座300毫米半導(dǎo)體晶圓廠破土動(dòng)工?？⒐ず?，TI位于猶他州的兩座工廠每天將滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn)數(shù)千萬(wàn)個(gè)模擬和嵌入式處理芯片。
2023-11-07
陽(yáng)光正暖，不負(fù)時(shí)光， 一路向前，未來(lái)可期! 深圳奧米芯電子有限公司團(tuán)建圓滿(mǎn)結(jié)束~
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2023-11-07
TDK推出首款 SMD 沖擊電流限制器
TDK 株式會(huì)社開(kāi)發(fā)的J404是首款基于 PTC(正溫度系數(shù))技術(shù)的表面貼裝浪涌電流限制器 (ICL)。該元件(訂貨號(hào) B59404J0170A062)專(zhuān)為直流電壓高達(dá) 500 V 和 交流電壓高達(dá)350 V 的應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，可用于限制電動(dòng)汽車(chē)中的直流母線和充電設(shè)備等應(yīng)用中的浪涌電流。
2023-11-04
安森美第三季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入達(dá)12億美元，同比增長(zhǎng)33%
安森美公布其2023財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)：第三季度收入為21.808億美元，公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（GAAP）和非GAAP毛利率為47.3%，GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和非GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率分別為31.5%和32.6%，GAAP每股攤薄收益為1.29美元，非GAAP每股攤薄收益為1.39美元。其中，汽車(chē)業(yè)務(wù)收入創(chuàng)紀(jì)錄，同比增長(zhǎng)33%至12億美元。
2023-11-03
三星電子Q3利潤(rùn)下滑78% 存儲(chǔ)市場(chǎng)明年有望復(fù)蘇
近日，三星電子公布了2023年Q3財(cái)報(bào)，銷(xiāo)售額67.4047萬(wàn)億韓元，同比減少12.21%；凈收入下降40%至5.5萬(wàn)億韓元；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.4336萬(wàn)億韓元，同比減少了77.57%；當(dāng)期凈利潤(rùn)為5.8441萬(wàn)億韓元，減少37.76%。
2023-11-02
力積電與SBI擬在日本宮城建廠 預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)
中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體代工巨頭“力晶積成電子制造”（PSMC）正在與日本SBI控股(SBI Holdings)磋商，計(jì)劃在宮城縣建設(shè)半導(dǎo)體工廠。一期工廠將投資約4000億日元，目標(biāo)是2026年投產(chǎn)。
2023-11-01
SK海力士反對(duì)，西數(shù)和鎧俠合并計(jì)劃出現(xiàn)新變數(shù)
NAND 閃存芯片制造商鎧俠（Kioxia）與西部數(shù)據(jù)（WD）的合并計(jì)劃目前迎來(lái)新變數(shù)，SK海力士周四表示其不同意日本鎧俠公司和美國(guó)西部數(shù)據(jù)公司間的合并，日美存儲(chǔ)芯片企業(yè)間交易面臨更多不確定性。
2023-10-31
SK海力士HBM3E芯片供不應(yīng)求 明年產(chǎn)能已被預(yù)訂一空
HBM是一種新型內(nèi)存，通過(guò)垂直堆疊DRM芯片以縮短內(nèi)存和處理器間通信的距離。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，HBM 能提供高帶寬，讓CPU 與GPU、內(nèi)存與存儲(chǔ)之間的通信采用更高效率數(shù)據(jù)傳輸方式。
2023-10-30
三星正在與客戶(hù)就2nm、1.4nm工藝合作進(jìn)行洽談
盡管三星電子在3納米代工業(yè)務(wù)上比臺(tái)積電更早量產(chǎn)，但由于接連失去了高通、NVIDIA等大客戶(hù)，已經(jīng)落后于臺(tái)積電。
2023-10-27
安森美韓國(guó)工廠擴(kuò)建完工 預(yù)計(jì)2025年產(chǎn)量達(dá)100萬(wàn)片
碳化硅器件是電動(dòng)汽車(chē)(EV)、能源基礎(chǔ)設(shè)施和大功率EV充電樁中進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件。市場(chǎng)對(duì)這些產(chǎn)品的需求迅速增長(zhǎng)，使得對(duì)SiC芯片的需求激增。
2023-10-26
東部高科加大SiC、GaN研發(fā)
為了支持未來(lái)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，韓國(guó)晶圓代工廠東部高科正在加大在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)力度。最近的投資旨在提高其8英寸晶圓的制造能力。
2023-10-25
