SK海力士正準(zhǔn)備推出“2.5D扇出”封裝，作為其下一代存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)。SK海力士今年在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域取得了成功，對(duì)下一代芯片技術(shù)領(lǐng)域充滿信心，似乎正在通過開發(fā)“專業(yè)”內(nèi)存產(chǎn)品來確保其技術(shù)領(lǐng)先地位。根據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，SK 海力士正準(zhǔn)備將 2.5D 扇出封裝技術(shù)集成到其繼 HBM 之后的下一代 DRAM 中。
這種封裝方案是將兩個(gè) DRAM 芯片水平并排放置，然后將它們組合成一個(gè)芯片。這種方案的優(yōu)勢是由于芯片下方?jīng)]有添加基板，可以讓成品微電路更薄。SK海力士最快明年公開采用這種封裝方式的研究成果。
SK 海力士的嘗試非常獨(dú)特，因?yàn)?2.5D 扇出封裝在內(nèi)存行業(yè)從未嘗試過。該技術(shù)主要應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。臺(tái)積電2016年首次將扇出芯片級(jí)封裝（FOWLP）商業(yè)化，將其16納米應(yīng)用處理器與移動(dòng)DRAM集成到iPhone 7的一個(gè)封裝中，從而使這項(xiàng)技術(shù)推向舞臺(tái)。三星電子從今年第四季開始將這一技術(shù)導(dǎo)入Galaxy智能手機(jī)高級(jí)AP封裝中。
HBM 型存儲(chǔ)芯片的垂直集成固然可以顯著增加接口帶寬，但成本高昂，而 SK 海力士研發(fā)的“2.5D fan-out”，能有效降低生產(chǎn) DRAM 芯片成本，預(yù)估會(huì)在游戲顯卡的 GDDR 顯存中使用。
除了利用這項(xiàng)技術(shù)外，SK海力士也努力鞏固與英偉達(dá)的合作，后者在HBM市場處于領(lǐng)先地位。此外，SK 海力士還為蘋果新款 AR 設(shè)備“Vision Pro”中安裝的“R1”計(jì)算單元生產(chǎn)并供應(yīng)了專用 DRAM。SK 海力士總裁郭諾貞表示：“在人工智能時(shí)代，我們將把存儲(chǔ)半導(dǎo)體創(chuàng)新，針對(duì)每個(gè)客戶提供差異化的專業(yè)產(chǎn)品?！?/p>
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