盡管近期促銷期間大多數(shù)終端產(chǎn)品銷售平平，但在三星、SK海力士和美光三大原廠大幅減產(chǎn)和控制產(chǎn)量的情況下，存儲芯片現(xiàn)貨價格仍然呈上漲趨勢。其中，由于虧損情況更為嚴(yán)重，NAND存儲芯片的漲幅更加明顯。
據(jù)悉，存儲芯片大廠實(shí)施減產(chǎn)保價策略的效果十分顯著，Q4合約價報(bào)價優(yōu)于市場預(yù)期。其中，DDR5存儲芯片的上漲幅度為15%至20%，DDR4存儲芯片的上漲幅度為10%至15%，DDR3存儲芯片的上漲幅度為10%，而原本預(yù)估的上漲幅度僅為5%至10%。同時，NAND存儲芯片的平均漲幅至少為20%至25%，漲幅明顯更高。
另外，三星對DRAM正常報(bào)價，但在NAND部分則暫停報(bào)價，同時也不出貨，最新報(bào)價仍待觀察。
依據(jù)InSpectrum最新報(bào)價顯示，在DRAM現(xiàn)貨報(bào)價方面，4Gb和8GbDDR4近一周報(bào)價持平，近一月報(bào)價分別上漲3.03％和上漲1.97％。
在NANDFlash現(xiàn)貨價方面，256Gb和512GbTLCFlash周報(bào)價，分別為持平和上漲4.12％，月報(bào)價分別漲15.25％和上漲27.78％。
在合約價方面，集邦預(yù)估，第四季DRAM報(bào)價季增3～8％，優(yōu)于第三季的0～5％跌幅；第四季NAND報(bào)價季增8～13％，也遠(yuǎn)優(yōu)于第三季的5～10％跌幅。
存儲模組廠商透露，目前原廠對四季度Flash（閃存）供應(yīng)主打“拖延戰(zhàn)術(shù)”，原先（模組廠）曾在9月試圖敲定數(shù)百萬顆訂單，但原廠遲遲不愿放貨，就算愿意給貨，數(shù)量及價格都無法達(dá)到滿意的目標(biāo)。雖然終端市場需求已進(jìn)入淡季，但Flash現(xiàn)貨市場行情卻處于上游熱、下游冷的特殊狀態(tài)，加速Flash晶圓各產(chǎn)品全面調(diào)漲。盡管短期通路市場庫存積壓，NANDFlash晶圓漲勢不減反增，主流512Gb現(xiàn)貨價單月調(diào)漲約2成，站上2.6美元。
據(jù)稱，三星在第四季DRAM減產(chǎn)幅度達(dá)30％，SK海力士及美光減產(chǎn)幅度達(dá)20％，原廠對NAND的減產(chǎn)幅度更高，預(yù)計(jì)三大供應(yīng)商減產(chǎn)將持續(xù)至2024年中，且資本支出和產(chǎn)出，將聚焦于利潤較佳產(chǎn)品，如高頻寬記憶體（HBM）和DDR5。
本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)載文章僅為傳播更多信息之目的，如作者信息標(biāo)記有誤，請第一時間聯(lián)系我們修改或刪除，感謝您的關(guān)注！