近日，美光科技宣布已開(kāi)始送樣其首款8-high 24GB HBM3 Gen2內(nèi)存產(chǎn)品，帶寬大于1.2TB/s，引腳速度超過(guò)9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解決方案提高50%，其每瓦性能比前幾代產(chǎn)品提高了2.5倍。
據(jù)介紹，美光科技HBM解決方案采用1β(1-beta)DRAM工藝節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)允許將24Gb DRAM芯片組裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸內(nèi)的8-high立方體中。此外，美光12層堆疊的36GB 容量產(chǎn)品也將于2024年第一季度開(kāi)始出樣。與現(xiàn)有的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，美光科技在給定堆棧高度下提供的容量增加了50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品的性能功耗比和引腳速度的提升對(duì)于管理當(dāng)今AI數(shù)據(jù)中心的極端功耗需求至關(guān)重要。美光通過(guò)技術(shù)革新實(shí)現(xiàn)了能效的顯著提升，例如與業(yè)界其他HBM3解決方案相比，美光將硅通孔（TSV）數(shù)量翻倍，增加5倍金屬密度以降低熱阻，以及設(shè)計(jì)更為節(jié)能的數(shù)據(jù)通路。
美光科技表示，作為HBM3 Gen2產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作的一部分，美光科技與臺(tái)積電之間的合作為AI和HPC設(shè)計(jì)應(yīng)用的計(jì)算系統(tǒng)的順利引入和集成奠定了基礎(chǔ)。臺(tái)積電已收到美光科技HBM3 Gen2內(nèi)存樣品，并正在與美光科技密切合作進(jìn)行進(jìn)一步評(píng)估和測(cè)試，助力客戶的下一代高性能計(jì)算應(yīng)用創(chuàng)新。
美光副總裁暨計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部計(jì)算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan表示：“美光第二代HBM3解決方案旨在為客戶及業(yè)界提供卓越的人工智能和高性能計(jì)算解決方案。我們的一個(gè)重要考量標(biāo)準(zhǔn)是，該產(chǎn)品在客戶平臺(tái)上是否易于集成。美光HBM3具有完全可編程的內(nèi)存內(nèi)建自測(cè)試（MBIST）功能，可在完整規(guī)格的引腳速度下運(yùn)行，使美光能為客戶提供更強(qiáng)大的測(cè)試能力，實(shí)現(xiàn)高效協(xié)作，助力客戶縮短產(chǎn)品上市時(shí)間?！?/p>
此前，美光科技推出基于1α(1-alpha)24Gb單片DRAM芯片的96GB DDR5模塊，用于容量需求大的服務(wù)器解決方案，此次推出的是基于1β 24Gb芯片的24GB HBM3產(chǎn)品。美光科技計(jì)劃，在2024年上半年推出基于1β 32Gb單片DRAM芯片的128GB DDR5模塊。