近日，臺積電在美國舉辦了“2024年臺積電北美技術論壇”，披露其最新的制程技術、先進封裝技術、以及三維集成電路（3D IC）技術，憑借此領先的半導體技術來驅動下一代人工智能（AI）的創(chuàng)新。
據(jù)了解，臺積電在此次的北美技術論壇中，首度公開了臺積電A16（1.6nm）技術，結合領先的納米片晶體管及創(chuàng)新的背面供電（backside power rail）解決方案以大幅提升邏輯密度及性能，預計于2026年量產(chǎn)。
臺積電還推出系統(tǒng)級晶圓（TSMC-SoWTM）技術，此創(chuàng)新解決方案帶來革命性的晶圓級性能優(yōu)勢，滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心未來對AI的要求。
據(jù)介紹，A16將結合臺積電的超級電軌構架與納米片晶體管，預計于2026年量產(chǎn)。
超級電軌技術可以將供電網(wǎng)絡移到晶圓背面，為晶圓正面騰出更多空間，從而提升邏輯密度和性能，讓A16適用于具有復雜信號布線及密集供電網(wǎng)絡的高效能運算(HPC)產(chǎn)品。
臺積電表示，相較于N2P制程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達1.10倍，以支持數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。
除了A16外，臺積電還宣布將推出N4C技術，N4C延續(xù)了N4P技術，晶粒成本降低高達8.5%且采用門檻低，預計于2025年量產(chǎn)。
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